《新乡医学院学报》  2002年05期 376-378   出版日期:2002-09-20   ISSN:1004-7239   CN:41-1186/R
精神分裂症患者智商和P3o0电位的关系


目的探讨精神分裂症患者P湖电位与智商的关系,判定P300电位在评价此类患
者智力方面的作用。方法对40例精神分裂症患者和38例健康者分别进行了P300电位测定
和韦氏成人智力量表(WAIS—RC)评定。结果 精神分裂症患者的P 。电位波潜伏期延长,
波幅降低,与对照组相比有显著性差异(P <0.01),WAIS—RC量表测验发现言语智商
(vIQ)、操作智商(PIQ)及总智商(FIQ)均低于对照组,有显著性差异(P <0.01)。相关分析
显示P 波潜伏期与各智商呈显著负相关(r=一0.28~ ~0.33,P<0.05),波幅与言语智商
及总智商呈显著正相关(r: 0.29~ 0.32,P <0.05)。结论P3o0电位在评价精神分裂症患
者智能方面具有重要意义,可作为一项客观的电生理学指标应用于临床。